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J-GLOBAL ID：200902172396414306   整理番号：96A0879252

チャネル窒素注入による微細NMOSFETの低Vth化

Channel Engineering in Sub-quater-micron MOSFETs Using Nitrogen Implantation for Low Voltage Operation.

著者 (6件)： 古川彰彦 (三菱電機) ,  阿部雄次 (三菱電機) ,  清水悟 (三菱電機) ,  黒井隆 (三菱電機) ,  徳田安紀 (三菱電機) ,  犬石昌秀 (三菱電機)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 2  ページ： 668  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： チャネル ,  窒素 ,  注入 ,  nMOSFET