サブハーフミクロンのバイポーラ相補型金属-酸化物-半導体LSI用の高エネルギーイオン注入で作製した埋込み層バイポーラトランジスタ

KUROI T; KAWASAKI Y; ISHIGAKI Y; KINOSHITA Y; INUISHI M; TSUKAMOTO K; TSUBOUCHI N

文献

J-GLOBAL ID：200902173121304620 整理番号：94A0276658

サブハーフミクロンのバイポーラ相補型金属-酸化物-半導体LSI用の高エネルギーイオン注入で作製した埋込み層バイポーラトランジスタ

Bipolar Transistor with a Buried Layer Formed by High-Energy Ion Implantation for Subhalf-Micron Bipolar-Complementary Metal Oxide Semiconductor LSIs.

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資料名：
巻： 33 号： 1B ページ： 541-545 発行年： 1994年01月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

Si層のエピタキシャル成長を用いず高エネルギーイオン注入で作...

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トランジスタ

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