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J-GLOBAL ID：200902176643575585   整理番号：95A0447889

高信頼性・高性能サブ・クォータμmデュアルゲートCMOSのための高度にドープしたポリSiゲートへの窒素注入のインパクト

The Impact of Nitrogen Implantation into Highly Doped Polysilicon Gates for Highly Reliable and High-Performance Sub-Quarter-Micron Dual-Gate Complementary Metal Oxide Semiconductor.

著者 (7件)： KUROI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KOBAYASHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SHIRAHATA M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OKUMURA Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUSUNOKI S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TSUBOUCHI N (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34  号： 2B  ページ： 771-775  発行年： 1995年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度にドープしたポリSiゲートへの窒素注入について研究した。...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (13件)：

• HILLENIUS, S. J. Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., Los Angeles, 1986. 1986, 252
• CHAPMAN, R. A. Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., San Francisco 1988. 1988, 52
• INUISHI, M. Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., Washington D. C., 1989. 1989, 773
• WONG, C. Y. Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., San Francisco, 1988. 1988, 238
• IWASE, M. Ext. Abstr.22nd Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Sendai. 1990, 271

タイトルに関連する用語 (10件)： 高信頼性 ,  高性能 ,  デュアルゲート ,  CMOS ,  ドープ ,  ポリSi ,  ゲート ,  窒素 ,  注入 ,  インパクト