文献

J-GLOBAL ID：200902184478576060   整理番号：96A0913310

感度解析によるCMOSプロセス設計

Sensitivity Analysis of Device Characteristic in CMOS using TCAD.

著者 (4件)： 青山仁子 (日立 デバイス開セ) ,  常野克己 (日立 デバイス開セ) ,  佐藤久子 (日立 デバイス開セ) ,  増田弘生 (日立 デバイス開セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 96  号： 259(VLD96 41-50)  ページ： 9-15  発行年： 1996年09月27日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CMOSの回路設計においては,デバイス特性バラツキを適切に見...

シソーラス用語： MOS集積回路 ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (7件)：

• AOYAMA, K. A New Characterization of Sub-μm Parallel Multilevel Interconnects and Experimental Verification. IEEE Transactions ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 1996, 9, 1, 20-26
• 市川仁子. VLSI配線容量のシミュレーションと評価. 信学技報. 1993, ED93-81, 45-51
• SATO, H. A New Hierarchical RSM for TCAD-Based Device Design in 0.4μm CMOS Development. IEEE Transactions ON Electronics, C. 1996, E79, 2, 226-233
• MASUDA, H. Applied TCAD (Technology-CAD) for Practical VLSI Development. Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, October 1994. 1994, 227-230
• 増田弘生. TCAD利用技術の開発と3つの課題. 信学技報. 1993, ED93-84, 69-76

タイトルに関連する用語 (3件)： 感度解析 ,  CMOSプロセス ,  設計