テラヘルツ光  フェムト秒レーザー励起による半導体からの高強度テラヘルツ光発生

文献

J-GLOBAL ID：200902191623449655 整理番号：00A0170671

テラヘルツ光フェムト秒レーザー励起による半導体からの高強度テラヘルツ光発生

Terahertz radiation. Generation of high intensity terahertz radiation from semiconductors by femto-second laser excitation.

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資料名：
号： 242 ページ： 62-68 発行年： 2000年01月05日
JST資料番号： Z0994A ISSN： 0911-5943 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

比較的簡単な半導体素子からテラヘルツ光の放射を得る方法を述べ...

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光源 , 光伝導,光起電力

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