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J-GLOBAL ID：200902194944582275   整理番号：98A0058563

基板制御手法を使った1V,46ns,16Mb SOI-DRAM

A 1-V 46-ns 16-Mb SOI-DRAM with Body Control Technique.

著者 (9件)： SHIMOMURA K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SHIMANO H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SAKASHITA N (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OKUDA F (LTEC Corp., Hyogo, JPN) ,  OASHI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  YAMAGUCHI Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  EIMORI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KYUMA K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 32  号： 11  ページ： 1712-1720  発行年： 1997年11月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.5μmCMOS/SIMOX技術を使用した低電圧,高速,1...

シソーラス用語： *DRAM ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 制御手法 ,  SOI ,  DRAM