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文献
J-GLOBAL ID:200902200738752725   整理番号:06A0265829

選択面積MOVPEにより作製した単層InxGa 1-xAs/GaAs量子井戸を有する六角柱

Hexagonal Pillars with single InxGa1-xAs/GaAs Quantum Well Fabricated by Selective Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
著者 (3件):
資料名:
巻: 53rd  号:ページ: 319  発行年: 2006年03月22日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  半導体の表面構造 

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