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J-GLOBAL ID：200902205907344951   整理番号：09A0599199

金属クラスター錯体イオンビームの発生とその応用

Production and Applications of Metal-cluster-complex Ion Beams

著者 (11件)： 藤原幸雄 (産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門) ,  近藤貢二 (産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門) ,  寺西義一 (産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門) ,  渡辺幸次 (産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門) ,  野中秀彦 (産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門) ,  齋藤直昭 (産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門) ,  井藤浩志 (産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門) ,  藤本俊幸 (産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門) ,  黒河明 (産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門) ,  一村信吾 (産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門) ,  富田充裕 (株式会社東芝研究開発センター)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 52  号： 4  ページ： 231-236 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 試料表面の極浅領域(50nm以下)における深さの分解能の向上を目的として,安定な金属クラスター錯体,Os₃(CO)₁₂やIr₄(CO)₁₂を用いる真空昇華型の金属クラスター錯体イオン源を開発し,Boron多層デルタドープSi試料の質量分析法(SIMS)を実施した.その結果,ビームエネルギー5keV,入射角度45°,酸素吹き付けありの照射条件で,深さ分解能(減衰長)λ_d=0.9nmを得ることができ,スパッタリング特性に優れた高いビームエネルギー条件において,高精度分析が可能であることを実証した.また,Si上に作製した有機薄膜材料ポリメチルメタクリレート(PMMA)のSIMS分析も実施し,金属錯体イオンビームが高分子材料に対しても優れた特性を持つことが確認できた.

シソーラス用語： イオンビーム ,  *多核錯体 ,  *オスミウム錯体 ,  カルボニル錯体 ,  昇華 ,  *イオン源 ,  *イオンビームスパッタリング ,  ポリメタクリル酸メチル ,  *高分子薄膜 ,  二次イオン質量分析 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *スパッタ蒸着
準シソーラス用語： ポリメチルメタクリレート ,  SIMS分析

分類 (2件)： 電子源,イオン源  (BD02020U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

引用文献 (45件)：

• 1) 例えば,日本表面化学会編“二次イオン質量分析法”,丸善株式会社,(1999) [in Japanese].
• 2) G. Gillen, M. Walker, P. Thompson and J. Bennett: J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (2000) 503.
• 3) Y. Homma, H. Takenaka, F. Toujou, A. Takano, S. Hayashi and R. Shimizu: Surf. Interface Anal., 35 (2003) 544.
• 4) T. Ishitani and R. Shimizu: Phys. Lett. A, 46 (1974) 487.
• 5) 志水隆一:応用物理,54 (1985) 876 [in Japanese].

タイトルに関連する用語 (3件)： クラスター錯体 ,  イオンビーム ,  応用