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J-GLOBAL ID：200902213042091907   整理番号：07A1009996

GaP系自立ナノ細線の薄化GaAs節での曲げ

Bending at Thinned GaAs Nodes in GaP-based Free-standing Nanowires
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著者 (4件)：
TATENO Kouta

TATENO Kouta について

(NTT Corp., Kanagawa, JPN)

NTT Corp., Kanagawa, JPN について

, 
ZHANG Guoqiang

ZHANG Guoqiang について

(NTT Corp., Kanagawa, JPN)

NTT Corp., Kanagawa, JPN について

, 
SOGAWA Tetsuomi

SOGAWA Tetsuomi について

(NTT Corp., Kanagawa, JPN)

NTT Corp., Kanagawa, JPN について

, 
NAKANO Hidetoshi

NAKANO Hidetoshi について

(NTT Corp., Kanagawa, JPN)

NTT Corp., Kanagawa, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について


巻： 46  号： 33-35  ページ： L780-L782  発行年： 2007年09月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ナノ細線を特定位置で曲げられれば応用範囲が拡がる。本論文では...
シソーラス用語：
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ナノ構造

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*ナノ細線

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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GAP

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自立

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, 
ナノ細線

ナノ細線 について

, 
GaAs

GaAs について

, 
曲げ

曲げ について


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