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J-GLOBAL ID：200902214187072079   整理番号：09A0527976

オージェ電子-光電子コインシデンス分光法を用いたSi₃N₄/Si(111)-8×8表面のサイト選択的オージェ電子スペクトル測定による局所価電子状態の研究

Study of local valence electronic states by measuring site selected Auger photoelectron spectra of Si₃N₄/Si(111)8×8 surfaces using Auger photoelectron coincidence spectroscopy.

著者 (7件)： 田原雅士 ,  垣内拓大 ,  山崎貴彦 ,  橋本章吾 ,  田中正俊 ,  間瀬一彦 ,  長岡伸一
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 89th  号： 1  ページ： 212  発行年： 2009年03月13日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si₃N₄/Si(111)8×8超薄膜表面界面の局所価電子状態は,高誘電材料を用いた半導体開発の重要研究課題である。我々は,特定光電子放出に由来したオージェ電子のみを測定できるオージェ電子-光電子コインシデンス分光法により,Si₃N₄/Si(111)8×8超薄膜の表面界面を選別したサイト選択的オージェ電子スペクトルを測定した。その結果,Si₃N₄/Si表面界面の局所価電子状態は,サイトによって大きく異なることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *Augerスペクトル ,  光電子 ,  光電子分光法 ,  価電子 ,  超薄膜 ,  界面 ,  電子状態 ,  誘電材料 ,  ケイ素 ,  単結晶 ,  低速電子回折
準シソーラス用語： Auger電子 ,  境界表面 ,  高誘電率材料 ,  単結晶シリコン

分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  非金属化合物  (CD01070R)

タイトルに関連する用語 (7件)： オージェ電子 ,  光電子 ,  分光法 ,  Si3N4 ,  Si ,  オージェ電子スペクトル ,  研究