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J-GLOBAL ID：200902218001645150   整理番号：09A0214361

AlO_x/n-GaN構造の界面電位のUV誘発の変化

UV-Induced Variation of Interface Potential in AlO_x/n-GaN Structure

著者 (4件)： MIZUE Chihoko (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MICZEK Marcin (Silesian Univ. Technol., Gliwice, POL) ,  KOTANI Junji (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 2  ページ： 020201.1-020201.3  発行年： 2009年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,AlO_x/n-GaN構造を用いるUV検出の実用性の研究を行った。ジエチルアルミニウムエトキシドを前駆体に用いて,n-GaN上にAlO_x層を蒸着した。AlO_x層について,1.59の屈折率と7.0eVのバンドギャップ,1.48の酸素組成が得られた。高温でも,容量-電圧曲線には目立った変化が全く現れず,理想的な曲線に近くて,良く制御されて安定した界面特性を示唆した。光応答の測定から,UV照射下でAlO_x/n-GaN界面の界面電位の大きな変化が観察されたが,これは温度に無関係であった。ゲートバイアスは界面電位井戸の深さを,それにより,UV照射からもたらされるホール密度の蓄積を系統的に変調する。AlO_x/n-GaN構造は低い火力密度の火炎に敏感である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光センサ ,  電気化学センサ ,  紫外線 ,  *半導体薄膜 ,  酸化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  蒸着膜 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： 界面電位

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  分析機器  (CC02020S)

引用文献 (16件)：

• M. Asif Khan, M. Shatalov, H. P. Maruska, H. M. Wang, and E. Kuokstis: Jpn. J. Appl. Phys.44(2005)7191.
• E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, F. Omnes, and P. Gibart: J. Phys.: Condens. Matter 13(2001)7115.
• T. Hashizume, J. Kotani, and H. Hasegawa: Appl. Phys. Lett.84(2004)4884.
• J. Kotani, M. Kaneko, H. Hasegawa, and T. Hashizume: J. Vac. Sci. Technol. B 24(2006)2148.
• Y. Yoshizumi, S. Hashimoto, T. Tanabe, and M. Kiyama: J. Cryst. Growth 298(2007)875.

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  界面電位 ,  誘発