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J-GLOBAL ID：200902218022284140   整理番号：09A0425389

高出力高輝度Nd³⁺:YAG/Cr⁴⁺:YAG受動Qスイッチマイクロレーザー III

著者 (2件)： 常包正樹 (科学技術振興機構) ,  平等拓範 (岡崎国立共同研究機構 分子科研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 3  ページ： 1127  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *YAGレーザ ,  *固体レーザ ,  ドーピング ,  ネオジム ,  クロム ,  *Qスイッチング ,  *レーザ出力 ,  放射輝度 ,  *内燃機関 ,  点火装置 ,  希薄燃焼 ,  予混合燃焼 ,  イットリウムアルミニウムガーネット ,  透過率 ,  温度依存性 ,  直線偏光
準シソーラス用語： *マイクロチップレーザ ,  *自動車エンジン

分類 (2件)： 固体レーザ  (BD04080W) ,  火花点火機関  (PB02020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  高輝度 ,  YAG ,  受動Qスイッチ ,  マイクロレーザー