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J-GLOBAL ID：200902224688384491   整理番号：07A0286922

ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価

Fabrication and Characterization of Three-GaAs Nanowire-Junction Devices Controlled by Schottky Wrap Gates

著者 (8件)： 中村達也 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  中村達也 (北大 大学院情報科学研究科) ,  葛西誠也 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  葛西誠也 (北大 大学院情報科学研究科) ,  白鳥悠太 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  白鳥悠太 (北大 大学院情報科学研究科) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  橋詰保 (北大 大学院情報科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 106  号： 521(SDM2006 228-244)  ページ： 73-77  発行年： 2007年01月25日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 2つの微細ショットキーラップゲート(WPG)を有するGaAs...

シソーラス用語： *Schottky欠陥 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ショット ,  キー ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  分岐 ,  試作 ,  評価