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文献
J-GLOBAL ID:200902227396444328   整理番号:09A0910372

多重台形チャネルを持つAlGaN/GaNから成る高電子移動度トランジスタにおけるドレイン電流の安定性およびしきい電圧とサブスレショウルド電流の可制御性

Drain Current Stability and Controllability of Threshold Voltage and Subthreshold Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
著者 (2件):
資料名:
巻: 48  号: 8,Issue 1  ページ: 081002.1-081002.5  発行年: 2009年08月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ゲート電極直下のみを周期的トレンチ構造としたAlGaN/GaNから成る構造を持つ多重台形チャネル(MMC)における側面ゲート電界効果を巧く観測することができた。この効果によって,作製した高電子移動度トランジスタは,一般的なプレーナ型HEMTと比較して,しきい電圧が低く,サブスレッショルド特性に優れ,電流駆動能力が大きいことが分かった。更に,MMC-HEMT構造では,ゲート-ドレイン間距離を長くとったMMC-HEMTにおいても,低いknee電圧が得られることが分かった。また,MMC-HEMTの飽和領域において,優れた電流安定性が確認された。これは台形状のチャネルの両側から熱が効率良く放出される効果に起因するものと考えられる。プレーナ型およびMMC-HEMTのオフ状態における絶縁破壊特性を評価したところ,ほぼ同等な特性が得られた。このことから,ゲート領域に周期的トレンチ構造を持つAlGaN/GaNから成るHEMTにおける絶縁破壊特性の劣化はないと考えられる。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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