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J-GLOBAL ID：200902233313276437   整理番号：09A0282754

GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析

Characterization and Analysis on Operation of GaAs Three-Branch Nanowire Junction Device

著者 (9件)： 中田大輔 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  中田大輔 (北大 大学院情報科学研究科) ,  RAHMAN Shaharin Fadzli Abd (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  RAHMAN Shaharin Fadzli Abd (北大 大学院情報科学研究科) ,  白鳥悠太 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  白鳥悠太 (北大 大学院情報科学研究科) ,  葛西誠也 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  葛西誠也 (北大 大学院情報科学研究科) ,  葛西誠也 (JST-PRESTO)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 438(SDM2008 216-230)  ページ： 63-68  発行年： 2009年02月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ナノワイヤ3分岐接合デバイスは,低温から室温までの広い温度領域において特異な非線形特性を示し,論理回路や高周波回路への応用が期待されている。回路応用においては,メカニズムの理解と目的に応じた特性制御が必要である。本稿ではショットキーラップゲートを備えたGaAsナノワイヤ3分岐接合のデバイスの試作とその詳細評価を行い,ショットキーラップゲートやナノワイヤ長が非線形特性および動作速度に与える効果を調べ,非線形特性メカニズムや特性制御について検討を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  *特性 ,  *固体素子 ,  挙動 ,  Schottky障壁
準シソーラス用語： *動作特性 ,  *ナノワイヤ3分岐接合デバイス ,  非線形挙動

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  ナノワイヤ ,  分岐 ,  動作特性 ,  評価 ,  解析