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J-GLOBAL ID：200902236723708171   整理番号：06A0662243

有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性

Growth and Properties of Semiconductor Nanowires by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者 (2件)： MOTOHISA Junichi (Hokkaido Univ., Sapporo) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 106  号： 138(SDM2006 65-124)  ページ： 63-68  発行年： 2006年06月26日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相成長(MOVPE)法による選択成長を用いたIII...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： りん化インジウムガリウム ,...

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分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機金属 ,  選択成長 ,  半導体ナノワイヤ ,  成長