抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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磁気記録分野では成膜法として限界と思われていた電気化学プロセスをナノ構造が制御された成膜法として再提示してきた。その中で開発したCoFeNi軟磁性の電気めっき膜は,混晶境界ラインの合金組成を狙うことで膜内の粒子は微細化され,高B
sと低い保磁力が両立することを見出した。本成果は主磁極が高比抵抗膜でなくてはならないという概念を塗り替え,高B
s材料を用いることで薄膜化を可能にし,高性能小型磁気ヘッドの実現を下支えした。引き続いて開発したB
s=2.4TのCoFe軟磁性膜も含め,電気化学的に形成した種々の軟磁性膜は磁気記録分野への適用に加えて,磁気が介在する電気・電子デバイスに搭載されるようになってきている。(著者抄録)