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J-GLOBAL ID：200902241692457063   整理番号：09A1289112

Si及びSiO_x(x=1または2)の同時蒸着により作製したシリコンナノ結晶の向上した電荷蓄積特性

Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiO_{x(x=1 or 2)}

著者 (10件)： CHEN Chen (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  JIA Rui (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  LI Weilong (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  LI Haofeng (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  YE Tianchun (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  LIU Xinyu (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  LIU Ming (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  KASAI Seiya (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, JPN) ,  TAMOTSU Hashizume (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, JPN) ,  WU Nanjian (The State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 27  号： 6  ページ： 2462  発行年： 2009年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノ結晶(SiNC)作製のための簡単で柔軟な電子ビーム同時蒸着(EBCE)法およびそれらの不揮発性メモリへの応用について報告した。EBCEのためにSi及びSiO_x(x=1または2)を原料物質として使用した。透過型電子顕微鏡像及びRamanスペクトル測定によりSiNCの形成を証明した。SiNCの平均寸法及び面積密度を原料物質のSi:O重量比を増加させることにより調節できた。この原材比は堆積膜の結晶体積の割合及びSiNCの電荷蓄積特性に大きく影響した。±8Vのスイープ電圧下で6.6Vの大きさのメモリウィンドウがSiNCを埋め込んだ金属-酸化物-半導体キャパシタ構造に対して観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *ナノ結晶 ,  *酸化ケイ素 ,  *同時蒸着 ,  電子ビーム蒸着 ,  ウエハ【IC】 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  Ramanスペクトル ,  *不揮発性メモリ ,  半導体薄膜 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  同時蒸着 ,  作製 ,  シリコンナノ結晶 ,  電荷蓄積