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J-GLOBAL ID：200902242729025610   整理番号：08A0548988

マルチメサチャネルAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタに於ける殆ど温度に依存しない飽和ドレイン電流

Nearly Temperature-Independent Saturation Drain Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor

著者 (4件)： TAMURA Takahiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KOTANI Junji (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KASAI Seiya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 2  ページ： 023001.1-023001.3  発行年： 2008年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々はAlGaN/GaN高電子移動トランジスタ(HEMT)のチャネルに於ける実効電場の均一性を改善する為に,ゲート電極の直ぐ下に周期的にトレンチを形成したマルチメサチャンネル(MMC)構造を作製した。ユニークな特性すなわち,殆ど温度に依存しない飽和ドレイン電流が広範な温度領域に於いてMMC素子で観察された。二次元(2D)ポテンシャルの計算から,メサの側面ゲートがポテンシャルを変調することが分かり,2D電子ガスを取り囲むフィールドとなる。この様な取り囲むフィールドと比較的低いソース接続抵抗がMMC HEMTに於けるユニークな電流挙動に関係している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *メサ構造 ,  *HEMT ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  *窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  トレンチカット【加工】 ,  *ドレイン【半導体】 ,  *電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (22件)：

• HIGASHIWAKI, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 1111
• DORA, Y. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 713
• SINGH, M. IEEE Trans. Electron Devices. 2005, 52, 311
• AOI, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 3368
• PALACIOS, T. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 073508

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  飽和 ,  ドレイン電流