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J-GLOBAL ID：200902245790566690   整理番号：09A0402535

有機金属化学蒸着によって成長させたn型Al_0.26Ga_0.74Nにおけるミドギャップ近傍の深い準位

Near-midgap deep levels in Al_0.26Ga_0.74N grown by metal-organic chemical vapor deposition

著者 (3件)： SUGAWARA Katsuya (Res. Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ. ...) ,  KOTANI Junji (Res. Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ. ...) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ. ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 15  ページ： 152106  発行年： 2009年04月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着法によって成長させたn型Al_0.26Ga_0.74N中における活性化エネルギーが1.0eVの深い準位を,サンプリング時間ウインドウが数秒の深準位過渡分光法(DLTS)によって検出した。検出された深い準位の密度は6×10¹⁵cm^-3であった。DLTSピークが観測される温度において,過渡容量を測定した。光励起の無い条件下において,容量の増大が観測された。これは活性化エネルギーが1eVの準位からの電子の放出に対応する。その後,2.3eVのフォトンエネルギーを持つ光を照射すると,容量は大幅に増大することが分かった。深い準位を考慮したポテンシャルシミュレーションから,光誘起による容量の変化はE_C-1.5からE_C-2.3eVのエネルギー域に位置する付加的なミドギャップ近傍の準位からの電子放出に起因することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  N型半導体 ,  *深い準位 ,  バンドギャップ ,  活性化エネルギー ,  深準位過渡分光法 ,  光照射 ,  ポテンシャル ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  ミドギャップ

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  近傍 ,  深い準位