膜組成を変えながら作った完全エピタキシャルCo<sub>2</sub>MnSi/MgO/Co<sub>2</sub>MnSi磁気トンネル接合のスピン依存トンネル特性

LIU Hong-Xi; ISHIKAWA Takayuki; TAIRA Tomoyuki; MATSUDA Ken-ichi; UEMURA Tetsuya; YAMAMOTO Masafumi

文献

J-GLOBAL ID：200902248074669488 整理番号：09A0996056

膜組成を変えながら作った完全エピタキシャルCo₂MnSi/MgO/Co₂MnSi磁気トンネル接合のスピン依存トンネル特性

Spin-dependent tunneling characteristics of fully epitaxial Co₂MnSi/MgO/Co₂MnSi magnetic tunnel junctions fabricated as a function of film composition

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資料名：
巻： 70th 号： 2 ページ： 676 発行年： 2009年09月08日
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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金属薄膜 , その他の接合

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膜組成を変えながら作った完全エピタキシャルCo2MnSi/MgO/Co2MnSi磁気トンネル接合のスピン依存トンネル特性

膜組成を変えながら作った完全エピタキシャルCo₂MnSi/MgO/Co₂MnSi磁気トンネル接合のスピン依存トンネル特性