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J-GLOBAL ID：200902255641182656   整理番号：09A0005421

サーモリフレクタンス法によるAZO薄膜の熱拡散率測定

Thermal diffusivity measurement of AZO thin films using thermoreflectance method

著者 (7件)： 木村健太郎 (青山学院大 理工) ,  八木貴志 (産業技術総合研) ,  竹歳尚之 (産業技術総合研) ,  馬場哲也 (産業技術総合研) ,  岡伸人 (青山学院大 理工) ,  佐藤泰史 (青山学院大 理工) ,  重里有三 (青山学院大 理工)
資料名： Thermophysical Properties  (Thermophysical Properties)
巻： 29th  ページ： 375-377  発行年： 2008年10月08日 
JST資料番号： X0031A  ISSN： 0911-1743  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 透明導電膜であるZnOにAlをドープしたAZO薄膜について,電気特性の制御及び成膜条件の最適化を研究し,また,ナノ秒サーモリフレクタンス法により,熱拡散率の測定を行った。膜を,dcマグネトロンスパッタリングにより作製した。その結果,スパッタ成膜時の水素ガス流量を1%として作製したAZO薄膜において,最少比抵抗値1.7×10^-3Ωcmを示した。薄膜の熱拡散率は,2.0×10^-6m²/sで,この値は,無ドープZnOバルク試料の熱拡散率に較べて,約一桁程度小さい値であった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  透明導電膜 ,  *最適化 ,  温度伝導率 ,  *水素 ,  流量 ,  電気抵抗率 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  半導体レーザ ,  ナノ秒 ,  ポンププローブ法
準シソーラス用語： *サーモリフレクタンス法 ,  *熱拡散率

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電気物性一般  (BM03010R) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

引用文献 (13件)：

• ASHIDA, T. Proc. 27^ Jpn. Symp. Thermophys. Prop., Kyoto, 2006. 2006, J111
• ASHIDA, T. J. Vac. Sci. Technol. A. 2007, 25, 1178
• TANAKA, A. J. Aerosol. Res. 2005, 20, 213
• MINAMI, T. J. Vac. Sci. Technol. A. 2007, 25, 1172
• BABA, T. Proc. 10^ International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems, Cote d'Azur, France, 2004. 2004, 241

タイトルに関連する用語 (4件)： サーモリフレクタンス法 ,  Azo ,  薄膜 ,  熱拡散率