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J-GLOBAL ID：200902257472727632   整理番号：08A0950811

GaAsナノワイヤFETを利用した確率共鳴の発現と雑音による信号検出能力の向上

著者 (4件)： 葛西誠也 (北大 大学院情報科学研究科) ,  葛西誠也 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  葛西誠也 (JST-PRESTO) ,  浅井哲也 (北大 大学院情報科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2008  号： エレクトロニクスソサイエティ 2  ページ： 66  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ナノメートルまで微細化された半導体デバイスは様々なゆらぎの影響をうけ,近年システムのSN比劣化や消費電力増大等の要因となっている。一方,分子レベルの構造からなる生体系は,ゆらぎに対してロバストに機能する。この機構として考えられているのが確率共鳴である。これは雑音によって系の応答が向上する特異な現象である。本研究では,確率共鳴をナノエレクトロニクスへ活かすことを目的とし,半導体ナノワイヤFETとそのネットワークを利用し現象を電子的に発現させること,および高雑音下での極微小信号検出の可能性を検討した。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ナノワイヤ ,  ヒ化ガリウム ,  信号検出 ,  *雑音 ,  電子技術 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： GaAs ,  ナノエレクトロニクス ,  ナノワイヤFET ,  確率共鳴

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  雑音一般  (ND04010J) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  ナノワイヤFET ,  確率共鳴 ,  発現 ,  雑音 ,  検出能力