加工基板を用いたMBE選択成長法によるGaAsリッジ細線の形成メカニズム

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J-GLOBAL ID：200902257898012649 整理番号：04A0342711

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巻： 51st 号： 1 ページ： 345 発行年： 2004年03月28日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜 , 固体デバイス製造技術一般

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