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J-GLOBAL ID：200902263644493230   整理番号：03A0225143

MBE選択成長法によるGaAsリッジ量子細線の形成とヘキサゴナル細線ネットワークへの応用

Selective MBE Growth of GaAs Ridge Quantum Wires for Formation of Hexagonal Nanowire Networks.

著者 (4件)： 佐藤威友 (北大 大学院工学研究科) ,  玉井功 (北大 大学院工学研究科) ,  吉田崇一 (北大 大学院工学研究科) ,  長谷川英機 (北大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 102  号： 640(SDM2002 244-251)  ページ： 27-32  発行年： 2003年02月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MBE選択成長法を用いてGaAs(001)加工基板上に,Ga...

シソーラス用語： *量子細線 ,...
準シソーラス用語： ヘキサゴナル細線ネットワーク ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (7件)： MBE ,  選択成長 ,  GaAs ,  リッジ ,  量子細線 ,  細線 ,  応用