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J-GLOBAL ID：200902265285207792   整理番号：08A0943083

サーモリフレクタンス法で評価したRRAM用酸化物/電極界面の熱抵抗

著者 (6件)： 島久 (産業技術総合研) ,  FIROZ Shakhawat H (産業技術総合研) ,  石川佳寿子 (産業技術総合研) ,  馬場哲也 (産業技術総合研) ,  秋永広幸 (産業技術総合研) ,  秋永広幸 (産総研 ナノ電子デバイス研究セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 2  ページ： 530  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  *酸化コバルト ,  *白金 ,  MIM構造 ,  タンタル ,  *熱抵抗 ,  熱拡散 ,  電子エネルギー損失スペクトル ,  抵抗加熱 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： Joule加熱 ,  *RRAM ,  *界面層

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (6件)： サーモリフレクタンス法 ,  評価 ,  RRAM ,  酸化物 ,  電極界面 ,  熱抵抗