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J-GLOBAL ID：200902269237117469   整理番号：08A1268987

長波長光子放出のためのGaInAs/AlInAsヘテロ構造ナノワイヤの成長

Growth of GaInAs/AlInAs Heterostructure Nanowires for Long-Wavelength Photon Emission

著者 (3件)： TATENO Kouta (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ZHANG Guoqiang (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  NAKANO Hidetoshi (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 8  号： 11  ページ： 3645-3650  発行年： 2008年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相成長リアクタにおけるInP(111)B及びSi(111)基体のGaInAs/AlInAsヘテロ構造ナノワイヤの成長について検討した。直径20~40nmのAu触媒を基体表面に堆積させるため,Auコロイドを用いた。InP(111)B表面に垂直に位置するGaInAs及びAlInAsナノワイヤが得られ,このナノワイヤは室温の光ルミネセンスを示した。コアGaInAsナノワイヤ中のGa含量が増加すると,ピークはブルーにシフトした。Ga含量を急激に変えることは6nm以内であれば可能ではあった。AlはGaInAs層に存在し,これは主に,AlInAsの放射状の成長によるものであった。In含量中のGa及びAl含量の比率は増加する傾向にあり,上部へのナノワイヤに沿った軸方向の成長速度は減少することが明らかになった。また,GaP及びInPの短い成長の後,Si(111)表面に垂直に位置するGaInAsナノワイヤを作製することができた。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *光子 ,  *放出 ,  *素子構造 ,  MOCVD ,  反応器 ,  リン化インジウム ,  ケイ素 ,  半導体材料 ,  金 ,  光ルミネセンス ,  結晶成長
準シソーラス用語： Au ,  *AlInAs ,  GaInAs ,  InP ,  Si ,  リアクタ ,  有機金属気相成長法 ,  *ヘテロ構造

分類 (4件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  ルミネセンス一般  (BM08091B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 長波 ,  光子放出 ,  GaInAs ,  AlInAs ,  ヘテロ構造 ,  ナノワイヤ ,  成長