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文献
J-GLOBAL ID:200902271912629436   整理番号:08A0790765

Al2O3/n-GaN構造の温度依存界面準位応答

Temperature-Dependent Interface-State Response in an Al2O3/n-GaN Structure
著者 (5件):
資料名:
巻: 47  号: 7 Issue 1  ページ: 5426-5428  発行年: 2008年07月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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静的容量電圧(C-V)と容量過渡電流(C-t)法を組み合わせて,Al2O3/n-GaN構造の界面準位応答を23~300°Cの温度範囲で研究した。高温測定した静的C-V曲線に顕著な劣化を観察した。これは,GaNのバンドギャップ中の深いエネルギーの界面準位の充電/放電率の向上から生じる。より大きな速い応答もまた高温で時間依存容量に現れた。C-t結果の簡単な分析から,状態の捕獲断面積を10-19cm2であると推定した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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界面の電気的性質一般  ,  表面の電子構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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