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J-GLOBAL ID：200902272987257590   整理番号：09A0205044

GaAs/AlGaAs単層ピラミッド型キャップ構造のナノスケール空間分解カソードルミネッセンス特性

著者 (9件)： 澤田祐志 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  一宮正義 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  一宮正義 (JST-CREST) ,  芦田昌明 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  芦田昌明 (JST-CREST) ,  尾崎信二 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  下村哲 (愛媛大 大学院理工学研究科) ,  伊藤正 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  伊藤正 (JST-CREST)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 17th  ページ： 345-348  発行年： 2006年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単一ピラミッド層だけを含む試料の空間分解カソードルミネセンス(CL)を15Kで測定し,ピラミッド型キャップ構造内のエネルギー移動を調べた。GaAs(411)A面上にMBE成長したピラミッド型キャップ構造は,4.2nm厚のピラミッド層を20nm厚のバリアで挟み,表面は20nm厚のキャップ層で被覆した。ピラミッドの最長の稜とその延長線に沿ったCLを100nm間隔で測定した。CLでは低エネルギー側の発光帯A,高エネルギー側の発光帯B,高エネルギー側の発光帯Aの三つの発光帯を観測した。これらの発光帯の強度の場所による変化を調べて,ピラミッド型キャップ構造内の励起子のエネルギー移動を考察した。

シソーラス用語： *量子ドット ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  角錐 ,  キャップ構造 ,  ナノ構造 ,  *陰極線ルミネセンス ,  低温 ,  *エネルギー移動 ,  *MBE成長 ,  被覆層 ,  サンドイッチ構造 ,  発光スペクトル ,  放射強度 ,  空間依存性 ,  励起子 ,  化合物半導体 ,  バンド構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  AlGaAs ,  単層 ,  ピラミッド ,  キャップ構造 ,  スケール空間 ,  分解 ,  カソードルミネッセンス