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J-GLOBAL ID:200902276885165696   整理番号:09A1270751

希土類酸化物薄膜の将来展望

著者 (2件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 55-61  発行年: 2009年12月05日 
JST資料番号: Y0021A  ISSN: 0286-4835  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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希土類酸化物薄膜を用いた強磁性半導体は,機能性に関する高いポテンシャルから,今後,次世代スピントロニクスデバイス材料として期待されている。本稿では,これまでにわれわれが行った希土類強磁性酸化物EuO薄膜における研究成果を報告するとともに,将来展望について述べる。(著者抄録)
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分類 (4件):
分類
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酸化物薄膜  ,  磁区・磁化過程一般  ,  半導体結晶の電子構造  ,  磁性材料 
タイトルに関連する用語 (3件):
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