{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:200902280376535937   整理番号:05A0497657

オゾン光解離励起状態酸素原子によるシリコン低温酸化

Ultra-low Temperature Oxidation of Silicon using UV Light-exited Ozone in Wafer-transfer Type Chamber
著者 (4件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 309-312  発行年: 2005年05月20日 
JST資料番号: G0194A  ISSN: 0559-8516  CODEN: SHINA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
UV光励起酸素を用いてシリコンの高速低温酸化を基板搬送型の処...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0497657&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0194A") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  光化学一般 
引用文献 (10件):
もっと見る

前のページに戻る