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文献
J-GLOBAL ID:200902282312729110   整理番号:09A1037680

金属メッキを利用したナノギャップ電極/ナノ接点の作製

著者 (1件):
資料名:
巻: 77  号: 10  ページ: 886-890  発行年: 2009年10月05日 
JST資料番号: G0072A  ISSN: 1344-3542  CODEN: EECTFA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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金属メッキによるナノギャップ/ナノ接点の作製方法(ギャップ間に流れる電流を利用する方法,ギャップ間の抵抗変化を利用する方法,ギャップ間の電気化学二重層の重なりを利用する方法)について解説した。簡便な装置でナノギャップ/ナノ接点が作製できる。ナノ接点をメカニカリーコントローラブルブレイクジャンクション(MCBJ)法に利用し,電極/単一分子/電極(MMM)接合の電気伝導特性を実際に計測することができた。
シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
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電極過程  ,  電気接点  ,  分子の電気的・磁気的性質 
物質索引 (1件):
物質索引
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引用文献 (23件):
  • 1) F. Chen, J. Hihath, Z. Huang, X. Li, and N. J. Tao, Annu. Rev. Phys. Chem., 58, 535 (2007).
  • 2) J. Park, A. N. Pasupathy, J. I. Goldsmith, C. Chang, Y. Yalsh, J. R. Petta, M. Rinkoski, J. P. Sethna, H. D. Abruna, P. L. McEuen, and D. C. Ralph, Nature, 417, 722 (2002).
  • 3) A. A. Houck, J. Labaziewicz, E. K. Chan, J. A. Folk, and I. L. Chuang, Nano. Lett., 5, 1685 (2005).
  • 4) 近年,改良された手法が提案されている.K. O’Neill, E. A. Osorio, and H. S. J. van der Zant, Appl. Phys. Lett., 90, 133109 (2007).
  • 5) A. F. Morpurgo, C. M. Marcus, and D. B. Robinson, Appl. Phys. Lett., 74, 2084 (1999).
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タイトルに関連する用語 (4件):
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