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J-GLOBAL ID：200902289861843825   整理番号：08A0657923

Si基板上にエピタキシャル成長させた垂直整列GaP/GaAsコア-多重シェルナノワイヤ

Vertically Aligned GaP/GaAs Core-Multishell Nanowires Epitaxially Grown on Si Substrate

著者 (4件)： ZHANG Guoqiang (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TATENO Kouta (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SOGAWA Tetsuomi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  NAKANO Hidetoshi (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 6  ページ： 064003.1-064003.3  発行年： 2008年06月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸気-液体-固体(VLS)成長モードと通常の気相エピタキシャル法を組合せて,有機金属気相エピタクシー(MOVPE)装置中でGaP/GaAsコア-多重シェルナノワイヤを成長させた。コアGaPナノワイヤ上にGaAs犠牲領域を成長させた後,選択化学エッチングし,Au粒子を除去してシェル成長後に上面ファセットしたコア-シェルナノワイヤを形成した。コアGaPナノワイヤの側面にシェル層がエピタキシャル成長したことを透過型電子顕微鏡解析により示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： VLS成長 ,  エピタクシー ,  エッチング ,  *多層構造 ,  *ナノワイヤ ,  ウエハ【IC】 ,  リン化ガリウム ,  ヒ化ガリウム ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： MOVPE ,  有機金属気相エピタクシー ,  化学エッチング ,  Si基板

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (22件)：

• FANG, A. W. IEEE Photonics Technol. Lett. 2006, 18, 1143
• PAVESI, L. Silicon Photonics. 2004
• ERTEKIN, E. J. Appl. Phys. 2005, 97, 114325
• MARTENSSON, T. Nano Lett. 2004, 4, 1987
• HIBINO, H. Surf. Sci. 2005, 588, L233

タイトルに関連する用語 (9件)： Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  垂直整列 ,  GAP ,  GaAs ,  コア ,  多重 ,  シェル ,  ナノワイヤ