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J-GLOBAL ID：200902294321532450   整理番号：05A0497658

有機シリコンガスと高濃度オゾンガスの交互供給による300°C以下でのSiO₂絶縁膜作成

SiO₂ Dielectric Film Formation by Alternate Supply of Organic Silicon Gas and Highly Concentrated Ozone Gas at Below 300°C

著者 (6件)： 西口哲也 (明電舎) ,  野寄剛示 (明電舎) ,  森川良樹 (明電舎) ,  花倉満 (明電舎) ,  野中秀彦 (産業技術総合研) ,  一村信吾 (産業技術総合研)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 48  号： 5  ページ： 313-316  発行年： 2005年05月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ヘキサメチルジシラザン(HMDS)とほぼ100%濃度のO<s...

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

物質索引 (1件)： ヘキサメチルジシラザン

引用文献 (11件)：

• 1) A. Goullet, C. Vallee, A. Granier and G. Turban: J. Vac. Sci. Technol., A18 (2000) 2452.
• 2) K. Teshima, Y. Inoue, H. Sugimura ahd O. Takai: Thin Solid Films, 390 (2001) 88.
• 3) R. Rashid, A. J. FLewitt and J. Robertson: J. Vac. Technol., A21 (2003) 728.
• 4) K. Fujino, Y. Nishimoto, N. Tokumasu and K. Maeda: J. Electrochem. Soc., 137 (1990) 2883.
• 5) H.-U. Kim and S.-W. Rhee: J. Electrochem. Soc., 147 (2000) 1473.

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機シリコン ,  高濃度 ,  オゾンガス ,  SiO2 ,  絶縁膜