エピタキシャルBiTiO<sub>3</sub>高kゲート絶縁物を持つルブレン単結晶電界効果トランジスタ

HIROSHIBA Nobuya; KUMASHIRO Ryotaro; TANIGAKI Katsumi; TAKENOBU Taishi; IWASA Yoshihiro; KOTANI Kenta; KAWAYAMA Iwao; TONOUCHI Masayoshi

文献

J-GLOBAL ID：200902297062197280 整理番号：06A0819572

エピタキシャルBiTiO₃高kゲート絶縁物を持つルブレン単結晶電界効果トランジスタ

Rubrene single crystal field-effect transistor with epitaxial BaTiO3 high-k gate insulator

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Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 89 号： 15 ページ： 152110-152110-3 発行年： 2006年10月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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