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J-GLOBAL ID：200902299310655659   整理番号：09A0503977

Si基板上のGaPをベースとした自立ナノワイヤーのヘテロ構造

Heterostructures in GaP-based free-standing nanowires on Si substrates

著者 (3件)： TATENO Kouta (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ZHANG Guoqiang (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  NAKANO Hidetoshi (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7224  ページ： 72240E.1-72240E.10  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)表面に成長した垂直III-V化合物半導体ナノワイヤーは光電子積層回路(OEICs)への応用として深い関心が寄せられて来た.ナノワイヤー成長では,異なった材料を一緒にして,違った成長条件にすることで,軸方向と動径方向でヘテロ構造を得ることができる.この効果を用いて,複雑で機能的な3次元構造をボトムアップの方法で作ることができる.この利点を生かして新タイプのナノデバイスを導出することができる.Si(111)上にGaPをベースとしたナノワイヤーを用いて,いろいろのへテロ構造をつくることを述べる.触媒はAuコロイドから得たAu粒子である.GaAsノードにおいて,曲がったGaP/GaAs/Gapナノワイヤー,GaPナノワイヤー中にInPの卵状の構造,平らな頭を持つコアー多重殻のGa(In)P/GaAs(または空気ギャップ)/GaPナノワイヤー,長波長の光子放射のためのGaAs/AlInAsでキャップされたGaInAsナノワイヤーを得ることができた.これらの構造はSi(111)基板上の垂直GaPナノワイヤー上に成長させることで成功した.

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  基板 ,  ケイ素 ,  *リン化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヘテロ接合 ,  触媒 ,  金 ,  コロイド ,  *ヒ化ガリウム ,  *多層構造 ,  リン化インジウム ,  複合体 ,  ドーピング ,  インジウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  被覆 ,  コアシェル構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  GAP ,  自立 ,  ナノワイヤー ,  ヘテロ構造