特許

J-GLOBAL ID：200903001433636017

半導体集積回路装置

発明者： 市川 仁子 ,  増田 弘生 ,  佐藤 久子 ,  常野 克己
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147280
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】 高い動作特性を有する半導体集積回路装置を提供する。【構成】 配線構造における半導体基板1上に設けられている電気配線膜が、一定のピッチ距離をもって形成されている複数の電気配線膜8〜15からなり、前記電気配線膜8〜15の少なくとも1個の前記電気配線膜11上に形成されている酸化シリコン膜16と、前記酸化シリコン膜16を含む前記電気配線膜8〜15上に形成されており、前記酸化シリコン膜16とは異なる誘電率をもった絶縁膜17,18とを有するものである。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成されている半導体基板と、前記半導体基板上に形成されている第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に、一定のピッチ距離をもって形成されている複数の電気配線膜と、前記電気配線膜の少なくとも1個の前記電気配線膜上に形成されている第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜を含む前記電気配線膜上に形成されており、前記第2の絶縁膜とは異なる誘電率をもった第3の絶縁膜とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 A ,  H01L 21/90 V