特許

J-GLOBAL ID：200903002638921462

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 佐藤 久子 ,  中村 高秀 ,  常野 克己 ,  青山 仁子 ,  国友 久彰 ,  増田 弘生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049726
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246201
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 不純物拡散時に損傷の発生が抑制できると共に不純物の濃度分布が高精度に制御できる半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の表面に酸化シリコン膜などの絶縁膜8を形成した後、その絶縁膜8にホウ素などの不純物を添加する工程と、絶縁膜8に添加した上記不純物を固相拡散により半導体基板1に拡散させて拡散層9を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜と接触している半導体領域に拡散層が形成されており、前記拡散層は、前記絶縁膜からの不純物の固相拡散により前記半導体領域に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/225 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (4件)：

H01L 21/225 Q ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/76 L