特許
J-GLOBAL ID：200903002752950049
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067256
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283713
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】短チャネル効果を抑制できる新規なMIS型電界効果トランジスタを実現する。【構成】ソース・ドレイン領域6に隣接するゲート電極4の両端直下のゲート酸化膜3中にトランジスタの導通時にチャネル領域を通過するキャリアと同じ極性を有する固定電荷を生じさせ、ゲート電極4の端部の閾値をゲート電極中央部の閾値よりも高くする。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体の一主面に設けて素子形成領域を区画するフィールド絶縁膜と、前記素子形成領域の表面に設けたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けたゲート電極と、前記ゲート電極に整合して前記素子形成領域に設けた逆導電型のソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域に隣接する前記ゲート電極の両端部直下の前記ゲート絶縁膜内に局所的に設けた前記ゲート電極下のチャネル領域を通過するキャリアと同じ極性の固有電荷を有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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