相補MIS型半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本正夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026662
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223588
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】しきい値電圧をバランス良く適切に設定することが容易な相補MIS型半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極膜40、50が、導体膜の多層構造を有し、ゲート絶縁膜30に接する最下層の導体膜41、51の膜厚が、少なくとも上層の導体膜42、52により半導体装置のチャネル電位が変位する程度に十分に薄く、電気特性の相異なるゲート電極を形成する導体膜における、上層の各導体膜42、52を形成する部材が、相異なる仕事関数を有する部材である。

請求項（抜粋）：

相補MIS型半導体装置において、ゲート電極膜が、導体膜の多層構造を有し、ゲート絶縁膜に接する最下層の前記導体膜の膜厚が、少なくとも上層の前記導体膜により前記半導体装置のチャネル電位が変位する程度に十分に薄く、電気特性の相異なる前記ゲート電極を形成する前記導体膜における、上層の前記各導体膜を形成する部材が、相異なる仕事関数を有する部材であることを特徴とする相補MIS型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/28 301 , H01L 29/43 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/08 321 D , H01L 21/28 301 A , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G

Fターム (39件)：

4M104BB01 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104EE03 , 4M104FF13 , 4M104FF14 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F040DA06 , 5F040DB03 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EC12 , 5F040EC13 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040FA04 , 5F048AA00 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB17 , 5F048BE03 , 5F048BG01 , 5F048BG12 , 5F048DA24

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-142178
相補型半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-024447 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-335709 出願人：株式会社東芝

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