特許

J-GLOBAL ID：200903004705485985

昇圧回路及びそれを用いた不揮発性半導体記憶装置

発明者： 丹沢 徹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-232741
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082095
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、電源電圧の変動に対応して昇圧セルの数を変えることにより、常に昇圧時間、書込時間及び消費電流の最適化を図る。【解決手段】 入力電圧を昇圧して出力する複数段の昇圧セルに対し、各昇圧セルのうちの駆動させる昇圧セルの数を電源電圧の変動に対応して変える昇圧回路(34)及びそれを用いた不揮発性半導体記憶装置。

請求項（抜粋）：

入力電圧を昇圧して出力する複数段の昇圧セルと、前記各昇圧セルのうちの駆動させる昇圧セルの数を電源電圧の変動に対応して変えることを特徴とする昇圧回路。

IPC (6件)：

G11C 16/06 ,  G11C 11/407 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H02M 3/07 ,  H01L 27/10 481

FI (5件)：

G11C 17/00 309 D ,  H02M 3/07 ,  H01L 27/10 481 ,  G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/04 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-179264
  
• 誤書き込み防止回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-334329   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開平4-331458
  
• 特開平2-179264
  
• 特開平4-331458