特許
J-GLOBAL ID：200903005424596601
プローブ顕微鏡探針及びその製造方法並びにプローブ顕微鏡並びに針状体及びその製造方法並びに電子素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-128771
公開番号（公開出願番号）：特開2005-308652
出願日： 2004年04月23日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 電荷密度波の巨視的量子位相情報を積極的に活用することで電荷密度波ナノ構造体の解析や生体高分子の構造の決定などを高精度で行うことができ、しかも小型に構成することができる電荷密度波量子位相顕微鏡などに用いて好適なプローブ顕微鏡探針を提供する。 【解決手段】 Siなどからなる円錐体21の表面に原料膜22を堆積させ、円錐体21の先端部からその側面に沿って所定距離離れた部位に円錐体21が融解しない条件で電子ビーム23を照射することにより、原料膜22を用いて針状結晶24を成長させ、プローブ顕微鏡探針を製造する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
錐状または刃状の基体の表面に成長原料を堆積させ、上記基体の先端部からその側面に沿って所定距離離れた部位に上記基体が融解しない条件でエネルギービームを照射することにより、上記成長原料を用いて針状結晶を成長させることにより製造されたことを特徴とするプローブ顕微鏡探針。
IPC (5件)：
G01N13/10
, B82B1/00
, B82B3/00
, G01N13/12
, G12B21/02
G01N13/10 H
, B82B1/00
, B82B3/00
, G01N13/12 D
, G12B1/00 601A
