特許
J-GLOBAL ID：200903005934804950

新規化合物とその合成方法、インク、インクカートリッジ、記録ユニット、インクジェット記録装置、記録方法、液体組成物、パターン形成方法、物品、環境履歴検知方法及び記録媒体

発明者：
石川 貴之

石川 貴之 について

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榊原 悌互

榊原 悌互 について

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三浦 大祐

三浦 大祐 について

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小野 昇

小野 昇 について

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宇野 英満

宇野 英満 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-069251
公開番号（公開出願番号）：特開2006-249436
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】溶媒に対する溶解性を制御することのできる新規化合物及びその合成方法を提供し、これを利用したインク等の応用技術を提供する。【解決手段】所定の溶媒に対する親溶媒性の基を有することにより該溶媒に可溶であり、逆ディールス・アルダー反応によって該親溶媒性の基が脱離して該溶媒に対する溶解度が不可逆的に低下可能である化合物。この化合物の合成方法。この技術を利用したインク、インクカートリッジ、記録ユニット、インクジェット記録装置、記録方法、記録媒体、液体組成物、パターン形成方法、物品および環境履歴検知方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
印刷を用いることにより少なくともビシクロ化合物を含む溶液を基材上の所望の位置に付与し、該ビシクロ化合物からビシクロ骨格の一部を脱離させてπ共役系を拡張し、該ビシクロ化合物を有機半導体材料に変換することによって、 該基材上の選択的な位置で逆ディールス・アルダー反応させ、それにより、基材上の所望の位置に有機半導体膜を形成することを特徴とする有機半導体膜のパターン形成方法。
IPC (4件)：
C09D 11/00 ,  B41J 2/01 ,  B41M 5/00 ,  H01L 51/05
FI (4件)：
C09D11/00 ,  B41J3/04 101Z ,  B41M5/00 E ,  H01L29/28 600
Fターム (17件)：
2C056EA24 ,  2C056FB01 ,  2H186AA17 ,  2H186AB12 ,  2H186FB16 ,  2H186FB17 ,  2H186FB25 ,  2H186FB29 ,  2H186FB30 ,  2H186FB53 ,  2H186FB54 ,  4J039BC59 ,  4J039BE12 ,  4J039CA03 ,  4J039CA04 ,  4J039GA10 ,  4J039GA24
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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