特許

J-GLOBAL ID：200903014805669949

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 常野 克己 ,  青山 仁子 ,  中村 高秀 ,  佐藤 久子 ,  増田 弘生 ,  国友 久彰
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-146975
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340045
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の高速化および高集積化が実現できる素子間分離領域を有する半導体基板を提供する。【構成】 シリコン基板1の主面上に形成されたLOCOS酸化膜4のおよび埋め込み酸化膜6からなる素子間分離領域によって、半導体素子が形成される単結晶シリコン層7が包囲されているので、完全空乏型半導体素子が形成でき、さらに、平坦性が良く幅の狭い素子間分離領域をシリコン基板1の主面上に形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成される個々の活性領域を包囲する素子間分離領域を有する半導体集積回路装置であって、前記素子間分離領域は、半導体基板の主面上に形成されたLOCOS酸化膜および前記半導体基板の内部に形成された埋め込み酸化膜によって構成されており、前記埋め込み酸化膜が前記LOCOS酸化膜の下方において前記半導体基板の表面方向へ曲がり、前記LOCOS酸化膜とつながっていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/08 331

FI (4件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 27/08 331 A ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/94 A