半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-109978
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307010
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の膜厚の異なる2種類のゲート電極の設けられた集積回路において、長期使用時における内部回路の誤作動や回路消費電流の増大を防止し、信頼性の高い集積回路を提供することを目的とする。【解決手段】内部回路200を構成する第二のトランジスタのゲート絶縁膜を、シリコン酸窒化膜30およびチタン酸バリウム・ストロンチウム膜31の多層膜とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に入出力部と内部回路を備えた半導体集積回路装置において、前記入出力部を構成する第一のトランジスタ群は、酸化シリコン系材料からなるゲート絶縁膜を有し、前記内部回路を構成する第二のトランジスタ群は、前記酸化シリコン系材料よりも誘電率の高い高誘電体材料を含むゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/08 102 C , H01L 21/316 M , H01L 21/318 C , H01L 29/78 301 G

Fターム (25件)：

5F040DA00 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040FC11 , 5F048AA07 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BD15 , 5F058BD18 , 5F058BF02 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-356493 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-317602 出願人：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-363437 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る