特許
J-GLOBAL ID：200903019893384306
MOS型電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342335
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152323
出願日： 1991年11月30日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 MOS型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の形成方法において、膜厚制御が容易であり、かつ長期信頼性に優れる窒化酸化膜を容易に形成する。【構成】 シリコン基板1上で、活性領域にゲート酸化膜3を形成した後、3フッ化窒素ガスを用いた1000°Cの急速熱処理により、ゲート酸化膜3をシリコン窒化酸化膜7にした後、ゲートポリシリコン膜4を堆積する。窒化用のガスとして酸素を含まない3フッ化窒素ガスを用いるので、膜厚変化はほとんど無い。また、窒化と同時に、ゲート絶縁膜中に多量のフッ素が取り込まれ、膜質が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の活性領域にゲート絶縁膜として、シリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜を、3フッ化窒素ガスまたは3塩化窒素ガス中で急速熱処理法により窒化し、シリコン窒化酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とするMOS型電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
