半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181808
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027794
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【目的】ゲート電極や配線の寄生容量の低減。【構成】シリコン基板1の表面に素子分離酸化膜2を形成しゲート絶縁膜4を介してゲート電極5を形成する。不純物をドープして低濃度ソース・ドレイン領域3aを形成する〔(a)図〕。低基板バイアス状態(例えば-10V)の高周波スパッタ法にてシリコン酸化膜6を成長させる。このとき、平坦部では比較的緻密な膜が形成されるが、段差被覆性が悪いためゲート電極側面ではスリット状の空洞が入った膜が形成される。不純物ドープにより高濃度ソース・ドレイン領域3bを形成する〔(b)図〕。層間絶縁膜7を形成し〔(c)図〕、コンタクトホールを開孔した後、Al配線8を形成する〔(d)図〕。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して導電体膜が形成され、該導電体膜の上面および側面が無機系絶縁膜により被覆されている半導体装置において、前記無機系絶縁膜は、前記導電体膜の側面においてスリット状空洞を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 21/3205 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 Y , H01L 21/88 B , H01L 21/95 , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-304668
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-134580 出願人：株式会社東芝
特開平3-280539

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