特許
J-GLOBAL ID：200903022871043026

結晶性層状ケイ酸塩の高温酸処理による高シリカナノ多孔体の製造方法及びその高シリカナノ多孔体

発明者：
池田 拓史

池田 拓史 について

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茅森 俊介

茅森 俊介 について

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水上 富士夫

水上 富士夫 について

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近江 靖則

近江 靖則 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 須藤 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-326396
公開番号（公開出願番号）：特開2008-137857
出願日： 2006年12月03日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】結晶性層状ケイ酸塩の高温酸処理による新規高シリカナノ多孔体の製造方法及びその高シリカナノ多孔体を提供する。【解決手段】結晶性層状ケイ酸塩(PLS-1、PLS-3、PLS-4、又はPREFER)を高温酸処理することにより、高シリカナノ多孔体(それぞれAPZ-1、APZ-2、APZ-3、又はAPZ-4)を製造することを特徴とする高シリカナノ多孔体の製造方法、及び該方法によって得られる高シリカナノ多孔体(APZ-1、APZ-2、APZ-3、及びAPZ-4)。【効果】結晶性層状ケイ酸塩を原料に用いて高温酸処理することによる迅速な高シリカナノ多孔体の製造方法、及び該方法によって製造される高シリカナノ多孔体を提供できる。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
表1に示される回折ピーク位置と相対強度の関係を持ち、図1に代表される粉末X線回折図形によって示される、親水性を有することを特徴とする高シリカナノ多孔体(APZ-1)。
IPC (1件)：
C01B 37/02
FI (1件)：
C01B37/02
Fターム (15件)：
4G073BD11 ,  4G073CA06 ,  4G073CZ54 ,  4G073FB50 ,  4G073FC01 ,  4G073FC23 ,  4G073FC25 ,  4G073FD23 ,  4G073FD24 ,  4G073FE04 ,  4G073GA03 ,  4G073GA12 ,  4G073GA13 ,  4G073GA19 ,  4G073GA40
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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