特許
J-GLOBAL ID:200903023910433194

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-189913
公開番号(公開出願番号):特開平9-045920
出願日: 1995年07月26日
公開日(公表日): 1997年02月14日
要約:
【要約】【目的】 高動作などの優れた電気特性を有する半導体集積回路装置およびそれを容易に製造できる製造技術を提供する。【構成】 ゲート電極5と離間した位置に絶縁膜11を介して配置されているソース電極9およびドレイン電極10を有し、ゲート電極5とソース電極9およびドレイン電極10の離間距離は、ゲート電極5の下端から上端に移行するに従って大きくして、この領域のゲート電極5とソース電極9およびドレイン電極10との容量を低減しているものとする。
請求項(抜粋):
ゲート電極と離間した位置に絶縁膜を介して配置されているソース電極およびドレイン電極を有し、前記ゲート電極と前記ソース電極および前記ドレイン電極の離間距離は、前記ゲート電極の下端から上端に移行するに従って大きくなっていることを特徴とする半導体集積回路装置。
FI (2件):
H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 617 K

前のページに戻る