特許

J-GLOBAL ID：200903026942150576

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 常野 克己 ,  石井 正宏 ,  国友 久彰 ,  青山 仁子 ,  中村 高秀 ,  佐藤 久子 ,  増田 弘生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049728
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246538
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 微細なMISトランジスタを有する半導体集積回路装置の性能および信頼性を向上させる。【解決手段】 半導体基板1のpウエル2pにおいて、チャネル領域4cの下部とpウエル2pの下部との間に、pウエル2pにおける他の不純物濃度よりも不純物濃度の低い低濃度領域を設け、その低濃度領域を、そのpウエル2pの導電形とは逆導電形の不純物をpウエル2pの導電形が反転しないように導入することで形成した。

請求項（抜粋）：

半導体基板のウエル領域上にMISトランジスタを設けてなる半導体集積回路装置であって、前記ウエル領域において、チャネル領域の下部とウエル領域の下部との間に、前記ウエル領域における他の不純物濃度よりも不純物濃度の低い低濃度領域を設け、前記低濃度領域を、前記ウエル領域の導電形とは逆導電形の不純物をウエル領域の導電形が反転しないように導入することで形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/06 102 B ,  H01L 29/78 301 H